Режим работы: пн-пт 9:00-18:00
Прочие | ||
Размер Памяти | 1G (128M x 8) | |
Артикул | TC58BYG0S3HBAI6 | |
Реквизиты | Память / Товар | |
Базовая единица | шт | |
Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Тип Памяти | EEPROM - NAND | |
Ордер-код | TC58BYG0S3HBAI6 | |
Серия | Benand™ | |
Описание | EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA | |
Типоразмер | 67-VFBGA | |
Упаковка | Tray | |
Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) | |
Скорость | 25ns | |
Формат Памяти | EEPROMs - Serial | |
Напряжение Питания | 1.7 V ~ 1.95 V | |
Интерфейс | Parallel | |
Типоразмер поставщика | 67-VFBGA (6.5x8) |
Режим работы: пн-пт 9:00-18:00
Способы оплаты:
Санкт-Петербург
Крапивный переулок, д. 5, литер А