Главная
Каталог
Дискретные полупроводники

Infineon IRF7307TRPBF

При нажатии на кнопку с Вас спишется 1 запрос

Сводная информация

Доступность 0 шт.

Поставщики 2

Минимальная цена поставщиков 115,89 ₽

Курс на 10/06/2026 1 EUR = 82.78 RUB
1 USD = 71.73 RUB

С информацией о условиях конвертации валюты и формирования цены можно ознакомиться по ссылке

Цены и поставщики

Валюта

Доступность

Поставщик	Доступность (шт)	MOQ Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика
RS (Formerly Allied Electronics)	По запросу	20
Farnell	По запросу	1

1+	100+	200+
-	-	-
-	-	-

Количество	Стоимость	Купить
-	-
-	-

Поставщик	Доступность (шт)	MOQ Минимальный объем заказа (MOQ) - наименьшее количество, которое можно купить у поставщика	1+	100+	200+	Количество	Стоимость	Купить
RS (Formerly Allied Electronics)	По запросу	20	1,40 ₽	1,29 ₽	1,24 ₽	-	-
Farnell	По запросу	1	-	-	-

Технические характеристики

Case/Package SOIC
Current Rating 5.2 A
Length 4.9784 mm
Max Operating Temperature 150 °C
Min Operating Temperature -55 °C
Mount Surface Mount
Number of Pins 8
Number of Terminals 8
Packaging Tape & Reel
REACH SVHC Yes
RoHS Compliant
Height 1.75 mm
Lead Free Lead Free
Lifecycle Status Obsolete (Last Updated: 2 months ago)
Number of Channels 2
Radiation Hardening No
Schedule B 8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|85
Width 3.9878 mm
Resistance 50 mΩ
Max Power Dissipation 2 W
Number of Elements 2
Package Quantity 4000
Max Junction Temperature (Tj) 150 °C
Power Dissipation 2 W
Min Breakdown Voltage 20 V
Introduction Date 1995-07-01
Continuous Drain Current (ID) 4.3 A
Drain to Source Resistance 50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Input Capacitance 660 pF
Rds On Max 50 mΩ
Turn-Off Delay Time 51 ns
Drain to Source Breakdown Voltage 20 V
Gate to Source Voltage (Vgs) 12 V
Threshold Voltage 700 mV
On-State Resistance 50 mΩ

MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO "Mosfet Array 20V 5.2A, 4.3A 2W Surface Mount 8-SO"
Dual N/P-Channel 20 V 0.07/0.14 Ohm 20/22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:5.2A; Continuous Drain Current Id, P Channel:-4.3A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:20V
Transistor Polarity:complementary N And P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:5.2A; On Resistance Rds(On):0.05Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 5.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 90 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 51 / Rise Time ns = 42 / Turn-OFF Delay Time ns = 51 / Turn-ON Delay Time ns = 9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2

Изображения

Сроки поставки

Скачайте спецификацию и техническую документацию для товара Infineon IRF7307TRPBF

RS (Formerly Allied Electronics): -
Farnell: -

Категории

Infineon IRF7307TRPBF

Данные о товаре

Сводная информация

Важное

Цены и поставщики

Технические характеристики

Описание

Изображения

Сроки поставки